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VS-E5TX0812-M3

Name: Vishay VS-E5TX0812-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-E5TX0812-M3
Price: 1.81 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-VS-E5TX0812-M3

Herst.- Nr.:

VS-E5TX0812-M3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

Gleichrichter 8A 1200V

Datenblatt:

VS-E5TX0812-M3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	Gleichrichter
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220AC-2
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
If - Durchlassstrom:	8 A
Typ:	Fast Recovery Rectifiers
Konfiguration:	Single
Vf - Durchlassspannung:	3.4 V
Max. Spitzenstrom:	60 A
Ir - Sperrstrom:	50 uA
Rückstellungszeit:	27 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	Vishay Semiconductors
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt:	Rectifiers
Produkt-Typ:	Rectifiers
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	FRED Pt

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VS-E5TX0812-M3 Datenblatt

Technical Resources

3L TO-220AB

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CNHTS:: 8541100000
TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

FRED PT Ultrafast Dioden und Gleichrichter

Die FRED PT Ultrafast Dioden und Gleichrichter von Vishay Semiconductors bieten Entwicklern eine hochflexible Lösung für Verbraucher- und Automobilanwendungen. Mit Richtwerten von 200 V bis 600 V und von 3 A bis 150 A, die einzigartig in der Branche sind, ermöglicht diese Serie, den Wirkungsgrad der Stromversorgungen mit Komponenten zu erhöhen und somit Leitungs- und Schaltverluste zu minimieren. Der extrem niedrige Ableitstrom bei hoher Temperatur, das sorgfältige Design der Chip-Anschlüsse und die Konstruktion mit hochwertigen Materialien machen FRED PT zur perfekten Wahl für Automobilanwendungen.

FRED Pt® Hyperschnelle Gleichrichter der 5. Gen.

Vishay Semiconductors FRED Pt^® Hyperschnelle Gleichrichter der 5. Gen. sind für hohe Schaltgeschwindigkeiten selbst unter extremen Bedingungen ausgelegt. Diese Gleichrichter verfügen über eine Sperrspannung von 1.200 V, einen geringen Schaltverlust und eine hohe Sperrschichttemperatur, die von -55 °C bis 175 °C reicht und eine höhere Zuverlässigkeit gewährleistet. Die hyperschnellen Gleichrichter der 5. Gen. sind speziell zur Verbesserung des Wirkungsgrades von PFC, Ausgangsgleichrichterstufen von EV/HEV-Batterieladestationen, Solar-Wechselrichter und UPS-Applikationen ausgelegt. Diese Gleichrichter sind perfekt für den Betrieb mit MOSFETs oder Hochgeschwindigkeits-IGBTs aufeinander abgestimmt und sind in TO-220AC- und TO247AD-Gehäusen erhältlich.

X-Baureihe Hyperschnelle 1.200-V-Gleichrichter der 5. Generation

Vishay X-Baureihe Hyperschnelle 1.200-V-Gleichrichter der 5. Gen. sind FRED Pt® 8-A- bis 60-A-Gleichrichter mit dem besten Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlust für Bauteile in ihren Klassen. Diese Gleichrichter sind zur Erhöhung des Wirkungsgrads von Hochfrequenz -Wandlern und hart- und weichschaltenden oder resonanten Designs ausgelegt. Sie verfügen über geringe Leitungs- und Schaltverluste und eignen sich hervorragend für Hochfrequenz -Wandler. Die Gleichrichter sind speziell zur Verbesserung des Wirkungsgrades von PFC und Ausgangsgleichrichterstufen von EV/HEV-Batterielade stationen ausgelegt. Dazu gehört die Verstärkerstufe von Solarwechselrichtern und USV -Applikationen. Die Bauteile sind perfekt auf den Betrieb mit MOSFETs oder Hochgeschwindigkeits-IGBTs abgestimmt.

X-Baureihe Hyperschnelle 600-V-Gleichrichter der 5. Gen.

Vishay X-Baureihe Hyperschnelle 600-V-Gleichrichter der 5. Gen. zeichnen sich durch niedrige Leitungs- und Schaltverluste aus und eignen sich hervorragend für Hochfrequenzwandler. Die Gleichrichter sind speziell zur Verbesserung des Wirkungsgrades von PFC und Ausgangsgleichrichterstufen von EV/HEV-Batterieladestationen ausgelegt. Dazu gehört die Verstärkerstufe von Solarwechselrichtern und USV-Applikationen. Die Bauteile sind perfekt auf den Betrieb mit MOSFETs oder Hochgeschwindigkeits-IGBTs abgestimmt.