Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SQJ850EP-T2_GE3

Name: Vishay SQJ850EP-T2_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ850EP-T2_GE3
Price: 1.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ850EP-T2_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ850EP-T2_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Datenblatt:

SQJ850EP-T2_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay / Siliconix SQJ850EP-T2_GE3

Auf Lager: 51'516

Lagerbestand:: 51'516 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.63	CHF 1.63
	CHF 1.05	CHF 10.50
	CHF 0.702	CHF 70.20
	CHF 0.558	CHF 279.00
	CHF 0.524	CHF 524.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.489	CHF 1'467.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	45 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SQJ850EP-T2_GE3 Datenblatt

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TrenchFET®-MOSFETs

Vishay/Siliconix TrenchFET^®-MOSFETs sind mit der p- und n-Kanal-Siliziumtechnologie ausgestattet, wodurch diese Bauteile die besten Einschaltwiderstands-Spezifikationen der Branche, wie beispielsweise 1,9 mΩ im PowerPAK^® SO-8-Gehäuse, bieten. Diese MOSFETs verfügen über einen Einschaltwiderstand, der nur halb so hoch ist wie der Einschaltwiderstand der nächstbesten Bauteile auf dem Markt. Die n-Kanal-MOSFETs bieten einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 40 V bis 250 V, eine Verlustleistung von 375 W und eine ThunderFET-Leistung (je nach Modell). Die p-Kanal-MOSFETs verfügen über bis zu 2 Kanäle, eine SMD- und Durchsteckmontage und einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 12 V bis 200 V.

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.