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SQJ110EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ110EP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ110EP-T1_GE3
Price: 2 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ110EP-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ110EP-T1_GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Datenblatt:

SQJ110EP-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.00	CHF 2.00
	CHF 1.29	CHF 12.90
	CHF 0.883	CHF 88.30
	CHF 0.703	CHF 351.50
	CHF 0.692	CHF 692.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.681	CHF 2'043.00
	CHF 0.646	CHF 3'876.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	170 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Qg - Gate-Ladung:	75 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	500 W
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	130 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns

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Datenblatt

SQJ110EP-T1_GE3 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.