Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SISS54DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS54DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISS54DN-T1-GE3
Price: 2 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SISS54DN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SISS54DN-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 51.1A

Datenblatt:

SISS54DN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay / Siliconix SISS54DN-T1-GE3

Auf Lager: 18’292

Lagerbestand:: 18’292 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 5 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.00	CHF 2.00
	CHF 1.29	CHF 12.90
	CHF 0.883	CHF 88.30
	CHF 0.703	CHF 351.50
	CHF 0.692	CHF 692.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.657	CHF 1’971.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8S
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	185.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.06 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	47.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	65.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	117 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	SISS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Gen V Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SISS54DN-T1-GE3 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET®-Gen-V-MOSFETs

Der Vishay/Siliconix SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET-Gen-V-Leistungs-MOSFET ermöglicht eine höhere Leistungsdichte mit sehr niedrigem R_{DS (on).} Dieser Leistungs-MOSFET bietet 30 V V_DSund eine sehr niedrige RDS x Q_g-Gütezahl (FOM). Der SiSS52DN n-Kanal-MOSFET verfügt typischerweise über 162 A I_D und 19.9nC Q_G.Während der SiSS54DN n-Kanal-MOSFET typischerweise über 185,6 A I_D und 21 nC Q_{g verfügt.}Dieser 100 % R_g — und UIS-getestete (Unclamped Inductive Switching, UIS) MOSFET wird in einem thermisch verbesserten kompakten PowerPAK^® 1212-8S -Gehäuse mit einer Einzelkonfiguration geliefert. Zu den typischen Anwendungsfällen gehören DC/DC-Wandler, Punktlast (POLs), Synchrongleichrichtung, Leistungs- und Lastschalter und Batteriemanagement.

TrenchFET®-Gen-V-Leistungs-MOSFETs mit VDS

Die TrenchFET^® -Gen-V-Leistungs-MOSFETs von Vishay / Siliconix erhöhen den Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung mit einer sehr niedrigen R_DS x Q_g -Gütezahl (FOM). Die Gen-V-Leistungs-MOSFETs verfügen über Drain-Source-Durchschlagspannungsoptionen von 80 V, 100 V und 150 V. Die Gen-V-Leistungs-MOSFETs sind in einem PowerPAK^® -1212-8SH- oder PowerPAK-SO-8-Einzelgehäuse verfügbar.