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SISF04DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF04DN-T1-GE3
Price: 1.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SISF04DN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SISF04DN-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

Datenblatt:

SISF04DN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.64	CHF 1.64
	CHF 1.05	CHF 10.50
	CHF 0.707	CHF 70.70
	CHF 0.561	CHF 280.50
	CHF 0.528	CHF 528.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.50	CHF 1'500.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	108 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.3 V
Qg - Gate-Ladung:	40 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	69.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	115 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Serie:	SISF
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	1 g

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Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrierte MOSFETs mit Common-Drain

Vishay Integrierte MOSFETs mit Common-Drain verfügen über 1, 2 und 3 Kanäle und bieten eine Oberflächenmontage. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und n+p-Kanal-Optionen sowie einen Durchschlagspannungsbereich von 20 V bis 200 V. Die Anreischerungstyp-MOSFETs sind mit sechs oder 8 Pins ausgestattet und bieten einen Verlustleistungsbereich von 1,5 W bis 69,4 W und einen Drain-Source-Widerstand von 2,15 mΩ bis 26 mΩ.