SIA811ADJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA811ADJ-GE3
SIA811ADJ-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 0.657 CHF 0.66
CHF 0.408 CHF 4.08
CHF 0.265 CHF 26.50
CHF 0.203 CHF 101.50
CHF 0.183 CHF 183.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.182 CHF 546.00
CHF 0.175 CHF 1'050.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SC70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
4.5 A
116 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
13 nC
- 55 C
+ 150 C
6.5 W
Enhancement
LITTLE FOOT, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 7 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 45 ns
Serie: SIA
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
Artikel # Aliases: SIA811ADJ-GE3
Gewicht pro Stück: 28 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerPAK SC-70 MOSFETs

Vishay Semiconductors PowerPAK® SC-70 MOSFET combines the tiny footprint of the SC-70 package with on-resistance comparable to the larger TSOP-6, resulting in very low power consumption in a package 50% smaller than the TSOP-6 and 27% thinner. The Vishay Semiconductor PowerPAK SC-70 MOSFET comes in a variety of configurations and voltage ratings for different applications, including single, single plus Schottky, and dual devices, in both n-channel and p-channel, in addition to n- and p-channel complementary pairs. The PowerPAK SC-70 MOSFET features voltage ranges between 8V and 30V with extremely low on-resistance values down to 0.011Ω at 4.5V.

Integrierte MOSFET-Lösungen

Die integrierten MOSFET-Lösungen von Vishay kombinieren Bauelemente in einem einzigen monolithischen Chip, um die Leistungsdichte zu erhöhen, den Wirkungsgrad zu steigern, das Design zu vereinfachen und die BOM-Kosten zu senken. Diese Einzel- und Multi-Chip-MOSFETs vereinen Funktionen wie Schottky-Dioden und ESD-Schutz. Sie zeichnen sich durch n- und p-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem thermischen Widerstand aus. 

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