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SI7135DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7135DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7135DP-T1-GE3
Price: 2.31 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI7135DP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI7135DP-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:

SI7135DP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.31	CHF 2.31
	CHF 1.48	CHF 14.80
	CHF 1.07	CHF 107.00
	CHF 0.891	CHF 445.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.851	CHF 2'553.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	167 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	50 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	95 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	100 ns
Serie:	SI7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	110 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	110 ns
Artikel # Aliases:	SI7135DP-GE3
Gewicht pro Stück:	506.600 mg

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Datenblatt

SI7135DP-T1-GE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si71 MOSFETs

Vishay Si71 MOSFETs verfügen über die TrenchFET® Gen III Leistungs-MOSFET-Technologie in PowerPAK® 1212-8- und PowerPak-SO-8-Gehäusen mit niedrigem thermischem Widerstand. Die MOSFETs sind 100 % Rg- und UIS-getestet und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die n- und p-Kanal-MOSFETs sind gemäß der IEC 61249-2-21 Definition halogenfrei. Diese kompakten MOSFETs eignen sich hervorragend für Applikationen, bei denen Platz- und Wärmemanagement entscheidend sind.

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.