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SCTW40N120G2VAG

Name: STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW40N120G2VAG
Price: 13.93 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCTW40N120G2VAG

Herst.- Nr.:

SCTW40N120G2VAG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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Datenblatt:

SCTW40N120G2VAG Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	HiP-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.9 V
Qg - Gate-Ladung:	61 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Pd - Verlustleistung:	278 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	IT
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	IT
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Gewicht pro Stück:	4.500 g

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Datenblatt

SCTW40N120G2VAG Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

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