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SCT020W120G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT020W120G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT020W120G3-4AG
Price: 15.31 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCT020W120G3-4AG

Herst.- Nr.:

SCT020W120G3-4AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt:

SCT020W120G3-4AG Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	Hip247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	121 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Pd - Verlustleistung:	541 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	22 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	9 ns
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns

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Datenblatt

SCT020W120G3-4AG Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen werden unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2./3. Generation von ST entwickelt. Die Bauteile verfügen über einen niedrigen On-Widerstand pro Flächeneinheit und eine sehr gute Schaltleistung. Die MOSFETs verfügen über eine sehr hohe Betriebstemperaturbelastbarkeit (TJ = 200°C) und eine sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

SCTW70N120G2V 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFET mit 91 A

Der STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1.200-V-SiC(Siliziumkarbid)-Leistungs-MOSFET mit 91 A verfügt über einen minimalen Einschaltwiderstand und eine sehr gute Schaltleistung, die aufgrund der fortschrittlichen, innovativen Eigenschaften von Breitbandlücken-Materialien nahezu temperaturunabhängig ist. Darüber hinaus bietet der SCTW70N120G2V eine sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode und eine extrem niedrige Gate-Ladung und niedrige Eingangskapazitäten. Ein hoher Temperaturbereich von 200 °C ermöglicht ein verbessertes thermisches Design von Leistungselektroniksystemen.