SBR1U150SA-13

Diodes Incorporated
621-SBR1U150SA-13
SBR1U150SA-13

Herst.:

Beschreibung:
Schottky Dioden & Gleichrichter 1A 150V ULTRA LO VF SMA

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Diodes Incorporated
Produktkategorie: Schottky Dioden & Gleichrichter
RoHS:  
REACH - SVHC:
Schottky Rectifiers
SMD/SMT
SMA (DO-214AC)
Single
Si
1 A
150 V
700 mV
42 A
100 uA
- 65 C
+ 150 C
SBR1U150
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Produkt-Typ: Schottky Diodes & Rectifiers
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 106 V
Gewicht pro Stück: 64 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

Automotive-Super-Barrieregleichrichter

Die Automotive-Super-Barrieregleichrichter (SBR) von Diodes Incorporated sind mit der patentierten Super Barrier Technologie (SBR) ausgelegt, die hervorragende Avalanche-Eigenschaften bietet. Diese SBR-Gleichrichter bieten einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall und eignen sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen. Die Automotive-SBR-Dioden verfügen über eine bleifreie Ausführung, sind gleichzeitig AEC-101-qualifiziert und bieten eine hohe Zuverlässigkeit. Diese SBR-Gleichrichter sind mit einem Durchlassstrombereich von 1 A bis 30 A und einem Durchlassspannungsbereich von 500 mV bis 0,7 V verfügbar.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.