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R8002KND3TL1

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-R8002KND3TL1

Herst.- Nr.:

R8002KND3TL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET

Datenblatt:

R8002KND3TL1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	7.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	30 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	100 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	R8002KND3

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

R8002KN N-Kanal 800-V- 1,6-A-Leistungs-MOSFET

Der R8002KN N-Kanal 800-V- 1,6-A-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Bauteil mit niedrigem Einschaltwiderstand und schnellem Schaltverhalten. Der R8002KN verfügt über eine bleifreie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs werden parallel verwendet, was einfach zu handhaben ist.