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QH8KC5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8KC5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8KC5TCR
Price: 0.96 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-QH8KC5TCR

Herst.- Nr.:

QH8KC5TCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 60V 3A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

Datenblatt:

QH8KC5TCR Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.605	CHF 6.05
	CHF 0.398	CHF 39.80
	CHF 0.31	CHF 155.00
	CHF 0.281	CHF 281.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.244	CHF 732.00
	CHF 0.237	CHF 1'422.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	90 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Abfallzeit:	3.1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.8 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.3 ns
Artikel # Aliases:	QH8KC5

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

QH8K Dual Nch+Nch Kleinsignal-MOSFETs

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