Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

PSMN3R9-100YSFX

Name: Nexperia PSMN3R9-100YSFX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN3R9-100YSFX
Price: 3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN3R9-100YSFX

Herst.- Nr.:

PSMN3R9-100YSFX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1023 100V 120A N-CH

Datenblatt:

PSMN3R9-100YSFX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Nexperia PSMN3R9-100YSFX

Auf Lager: 3’720

Lagerbestand:: 3’720 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 53 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.00	CHF 3.00
	CHF 1.97	CHF 19.70
	CHF 1.38	CHF 138.00
	CHF 1.22	CHF 610.00
	CHF 1.02	CHF 1’020.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 1.02	CHF 1’530.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-1023-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	79 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	245 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	23 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	45 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Artikel # Aliases:	934660621115
Gewicht pro Stück:	93.270 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

PSMN3R9-100YSFX Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NextPower 80-/100-V-MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs werden für Schaltapplikationen mit hohem Wirkungsgrad und hoher Zuverlässigkeit empfohlen. Die NextPower MOSFETs verfügen über einen niedrigeren 50 % R_DS(on) und eine starke Avalanche-Energieeinstufung. Die Bauteile eignen sich hervorragend für Netzteile, Telekommunikation, Industriedesigns, USB-PD-Typ-C-Ladegeräte und -Adapter sowie 48 V DC/DC-Adapter. Die Bauteile verfügen über geringe Body-Dioden-Verluste mit Q_rr bis hinunter zu 50 Nanocoulomb (nC). Dies führt zu einem niedrigeren Sperrverzögerungsstrom (I_RR), niedrigeren Spannungsspitzen (V_peak) und reduziertem Überschwingen für eine weitere optimierte Totzeit.