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PBZTBR12.4B

Name: ROHM Semiconductor PBZTBR12.4B
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-PBZTBR12.4B
Price: 0.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-PBZTBR12.4B

Herst.- Nr.:

PBZTBR12.4B

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Zener-Dioden 1000mW, 1V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

Datenblatt:

PBZTBR12.4B Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 0.673	CHF 0.67
	CHF 0.414	CHF 4.14
	CHF 0.273	CHF 27.30
	CHF 0.214	CHF 107.00
	CHF 0.183	CHF 183.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.148	CHF 444.00
	CHF 0.14	CHF 840.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Zener-Dioden
RoHS:
Vz - Zener-Spannung:	2.4 V
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DO-214AA-2
Pd - Verlustleistung:	1 W
Ir – Maximaler Sperrstrom:	200 uA
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Konfiguration:	Single
Teststrom:	40 mA
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Höhe:	3.94 mm
Ir - Sperrstrom:	200 uA
Länge:	4.7 mm
Produkt-Typ:	Zener Diodes
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Breite:	2.45 mm
Zener-Strom:	200 uA

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Datenblatt

PBZTBR12.4B Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

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CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100050
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

PBZTBR1x Zener-Dioden

ROHM Semiconductor PBZTBR1x Zener-Dioden verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit und ein kleines Power-Mold-Bauelement mit Silizium-Epitaxial-Planarstruktur. Diese Zener-Dioden bieten eine Verlustleistung von 1000mW und eine Sperrschichttemperatur von 150°C. Die PBZTBR1x Zenerdioden werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C gelagert. Diese Zener-Dioden sind in einem DO-214AA-Gehäuse (SMB) verfügbar. Die PBZTBR1x Zener-Dioden AR werden bei der Spannungsregelung verwendet.