NX6008NBKSX

Nexperia
771-NX6008NBKSX
NX6008NBKSX

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SOT363 2NCH 60V .22A

ECAD Model:
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Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
Lieferbeschränkung:
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RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
220 mA
2.7 Ohms
- 8 V, 8 V
900 mV
460 pC
- 55 C
+ 150 C
286 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Abfallzeit: 4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 2 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: Trench MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 1 ns
Artikel # Aliases: 934662515115
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NX6008NBK N-Kanal-Trench-MOSFETs

Die NX6008NBK N-Kanal-Trench-MOSFETs von Nexperia sind für schnelle Schaltvorgänge ausgelegt und zeichnen sich durch eine niedrige Schwellenspannung aus. Diese MOSFETs arbeiten mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V (VDS), einer maximalen Gate-Source-Spannung von 8 V (VGS) und einem Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C (Tj). Die NX6008NBK-MOSFETs werden in Applikationen wie Relaistreibern, Hochgeschwindigkeitsleitungstreibern, Low-Side-Lastschaltern und Schaltkreisen eingesetzt.