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NVMYS3D3N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D3N06CLTWG
Price: 1.88 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMYS3D3N06CLTWG

Herst.- Nr.:

NVMYS3D3N06CLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVMYS3D3N06CLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.60	CHF 1'800.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	133 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	40.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	100 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	96 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	130 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	58 ns
Serie:	NVMYS3D3N06CL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	75 mg

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Datenblatt

NVMYS3D3N06CLTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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