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NVMFS6H800NT1G

Name: onsemi NVMFS6H800NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H800NT1G
Price: 4.82 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFS6H800NT1G

Herst.- Nr.:

NVMFS6H800NT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs TRENCH 8 80V NFET

Datenblatt:

NVMFS6H800NT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 4.82	CHF 4.82
	CHF 3.23	CHF 32.30
	CHF 2.33	CHF 233.00
	CHF 2.29	CHF 1'145.00
	CHF 2.21	CHF 2'210.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 2.17	CHF 3'255.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	203 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	85 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	200 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	85 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	138 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	89 ns
Serie:	NVMFS6H800N
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	97 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

NVMFS6H800NT1G Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs bieten 80 V, einen Einzel-n-Kanal und einen kleinen Footprint für ein kompaktes Design. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit Widerstandsbereichen von 2,1 mΩ, 2,8 mΩ und 3,7 mΩ verfügbar. Funktionen umfassen einen geringen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, einen geringen Q_G und eine niedrige Kapazität. Die NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs sind RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert. Diese Leistungs-MOSFETs werden bei einem Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben.

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.