NVH4L022N120M3S

onsemi
863-NVH4L022N120M3S
NVH4L022N120M3S

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
68 A
30 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
151 nC
- 55 C
+ 175 C
352 W
Enhancement
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 34 S
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 24 ns
Serie: NVH4L022N120M3S
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Regelabschaltverzögerungszeit: 48 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 18 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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