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NTTFS4D9N04XMTAG

Name: onsemi NTTFS4D9N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS4D9N04XMTAG
Price: 0.81 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFS4D9N04XMTAG

Herst.- Nr.:

NTTFS4D9N04XMTAG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTTFS4D9N04XMTAG Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.819	CHF 0.82
	CHF 0.512	CHF 5.12
	CHF 0.334	CHF 33.40
	CHF 0.258	CHF 129.00
	CHF 0.238	CHF 238.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.22	CHF 330.00
	CHF 0.189	CHF 567.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	65 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	10.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	38 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	3.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	45 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	NTTFS4D9N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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Datenblatt

NTTFS4D9N04XMTAG Datenblatt

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs mit einem kleinen Footprint ausgelegt. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(ON), eine geringe Q_G und Kapazität zur Minimierung von Leitungs- und Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind in 40 V, 60 V und 80 V Drain-Source-Spannungen und einer ±20 V Gate-Source-Spannung erhältlich. Die n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind bleifrei und RoHS-konform.