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NTTFS2D1N04HLTWG

Name: onsemi NTTFS2D1N04HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS2D1N04HLTWG
Price: 1.75 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFS2D1N04HLTWG

Herst.- Nr.:

NTTFS2D1N04HLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

Datenblatt:

NTTFS2D1N04HLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.75	CHF 1.75
	CHF 1.11	CHF 11.10
	CHF 0.743	CHF 74.30
	CHF 0.609	CHF 304.50
	CHF 0.539	CHF 539.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.51	CHF 1’530.00
	CHF 0.483	CHF 2’898.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	150 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	43.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTTFS2D1N04HL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTTFS2D1N04HLTWG Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.

NTTFSxD1N0xHL n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die NTTFSxD1N0xHL n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verwenden die leistungsstarke abgeschirmte Gate-MOSFET-Technologie für einen extrem niedrigen R_DS(on). Diese Einkanal-MOSFETs von onsemi bieten ein geringes Schaltrauschen/EMI und ein vollständig UIL-getestetes robustes MSL1-Gehäusedesign. Die NTTFSxD1N0xHL MOSFETs sind in einem bleifreien, halogenfreien/BFR-freien und RoHs-konformen WDFN8-Gehäuse erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Abwärtswandler, Punktlast, Lastschalter mit hohem Wirkungsgrad und Low-Side-Schaltung, O-Ring-FETs, DC/DC-Netzteile und synchrone MV-Abwärtswandler.