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NTBLS1D1N08XTXG

Name: onsemi NTBLS1D1N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D1N08XTXG
Price: 3.61 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTBLS1D1N08XTXG

Herst.- Nr.:

NTBLS1D1N08XTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10 80V SG TOLL

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTBLS1D1N08XTXG Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 2.17	CHF 217.00
	CHF 2.11	CHF 1'055.00
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H-PSOF-8L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	299 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	120 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	197 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	152 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	294 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	118 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns

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Datenblatt

NTBLS1D1N08XTXG Datenblatt

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs von onsemi sind Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in den Kategorien 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten, erhöhtem Systemwirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(on), um Leitungsverluste zu minimieren, und eine niedrige Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren. Die T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Q_RRund eine Soft-Recovery-Body-Diode. Diese MOSFETs entsprechen der RoHS-Richtlinie und sind bleifrei und halogenfrei/BFR-frei. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC- und AC-DC-Wandlern, Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, Batterieschutz und Motorantriebe.