NSV20201DMTWTBG

onsemi
863-NSV20201DMTWTBG
NSV20201DMTWTBG

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

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CHF 0.559 CHF 5.59
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CHF 0.284 CHF 142.00
CHF 0.257 CHF 257.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
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onsemi
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-6
NPN
Dual
20 V
20 V
7 V
330 mV
2.27 W
180 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
NSS20201DM
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Kollektorgleichstrom: 2 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TH
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 100
DC Stromverstärkung hFE max.: 250
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:
8541210075
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung

Die e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-Spannung von onsemi sind oberflächenmontierte Bauteile mit extrem niedriger Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hoher Stromverstärkungsfähigkeit. Sie sind für Niederspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen konzipiert, bei denen eine kostengünstige und effiziente Energiesteuerung unerlässlich ist. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Mobiltelefone, PDAs, Computer, Drucker, Digitalkameras und MP3-Player. Weitere Applikationen sind Niederspannungs-Motorsteuerungen in Massenspeicherprodukten wie Scheiben- und Bandantrieben. Diese können für den Airbag-Einsatz und Kombiinstrumente in der Automotive-Industrie verwendet werden. Die hohe Stromverstärkung ermöglicht die Ansteuerung der e2PowerEdge-Bauteile von onsemi direkt von den Steuerausgängen der PMUs und die lineare Gain (Beta) machen sie zu idealen Komponenten in analogen Verstärkern.