NGTB40N120FL3WG

onsemi
863-NGTB40N120FL3WG
NGTB40N120FL3WG

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Auf Bestellung:
665
Lieferzeit ab Hersteller:
16
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 5.29 CHF 5.29
CHF 3.08 CHF 30.80
CHF 2.48 CHF 297.60

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
- 20 V, 20 V
80 A
454 W
- 55 C
+ 175 C
NGTB40N120FL3
Tube
Marke: onsemi
Land der Bestückung: VN
Land der Verbreitung: CZ
Ursprungsland: VN
Kriechstrom Gate-Emitter: 200 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 4.083 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NGTB25N/NGTB40N Bipolare isolierte Gate-Transistoren

Die onsemi NGTB25N und NGTB40N isolierten bipolaren Gate-Transistoren (IGBT) verfügen über eine robuste und kostengünstige Ultra-Field-Stop-Trench-Konstruktion. Durch ihre niedrigen Schaltverluste und eine extrem schnelle Freilaufdiode eignen sie sich hervorragend für Hochfrequenz-Solar-, USV- und Inverterschweiß-Anwendungen. In diesen Geräten ist eine sanfte und schnelle Freilaufdiode mit einer geringen Durchlassspannung integriert.
Mehr erfahren