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MMBT5551W_R1_00701

Name: Panjit MMBT5551W_R1_00701
Brand: Panjit
SKU: 241-MMBT5551WR100701
Price: 0.13 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-MMBT5551WR100701

Herst.- Nr.:

MMBT5551W_R1_00701

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

Datenblatt:

MMBT5551W_R1_00701 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.138	CHF 0.14
	CHF 0.082	CHF 0.82
	CHF 0.051	CHF 5.10
	CHF 0.038	CHF 19.00
	CHF 0.032	CHF 32.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.026	CHF 78.00
	CHF 0.024	CHF 144.00
	CHF 0.02	CHF 180.00
	CHF 0.018	CHF 432.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-323-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	160 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	180 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	200 mV
Pd - Verlustleistung:	200 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Panjit
Kollektorgleichstrom:	600 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80 V at 10 mA, 5 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	250 V at 10 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	5 mg

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Datenblatt

MMBT5551W_R1_00701 Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (V_CE) of 160V and a collector current (I_C) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.