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MASTERGAN4

Name: STMicroelectronics MASTERGAN4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN4
Price: 7.7 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN4

Herst.- Nr.:

MASTERGAN4

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Datenblatt:

MASTERGAN4 Datenblatt (PDF)

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	CHF 7.70	CHF 7.70
	CHF 5.69	CHF 56.90
	CHF 5.34	CHF 133.50
	CHF 4.78	CHF 478.00
	CHF 4.55	CHF 1'137.50
	CHF 4.50	CHF 2'250.00
	CHF 4.00	CHF 4'000.00
	CHF 3.97	CHF 9'925.00
4'680	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-31
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	3 Output
Ausgangsstrom:	6.5 A
Versorgungsspannung - Min.:	3.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	15 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Kenndaten und Eigenschaften:	600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Eingangsspannung – Max:	15 V
Eingangsspannung – Min:	3.3 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	225 mOhms
Verpackung ab Werk:	1560
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück:	150 mg

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Datenblatt

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PCN

Product Change Notification (PDF)

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.