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MASTERGAN3TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN3TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN3TR
Price: 5.21 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN3TR

Herst.- Nr.:

MASTERGAN3TR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Datenblatt:

MASTERGAN3TR Datenblatt (PDF)

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 5.21	CHF 5.21
	CHF 4.14	CHF 41.40
	CHF 3.91	CHF 97.75
	CHF 3.67	CHF 367.00
	CHF 2.81	CHF 2'810.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 2.66	CHF 7'980.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-31
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	4 Output
Ausgangsstrom:	4 A, 6.5 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	9.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.