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MASTERGAN2

Name: STMicroelectronics MASTERGAN2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN2
Price: 10.74 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-MASTERGAN2

Herst.- Nr.:

MASTERGAN2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Datenblatt:

MASTERGAN2 Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 10.74	CHF 10.74
	CHF 8.40	CHF 84.00
	CHF 7.90	CHF 197.50
	CHF 7.15	CHF 715.00
	CHF 5.05	CHF 1'262.50
	CHF 4.63	CHF 2'315.00
	CHF 4.62	CHF 4'620.00
2'500	Kostenvoranschlag

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

MASTERGAN2TR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 5.44

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	10 A
Versorgungsspannung - Min.:	3.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	15 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1560
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück:	150 mg

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Datenblatt

MASTERGAN2 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen R_DS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.