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MAPC-A3008-ABSB1

Name: MACOM MAPC-A3008-ABSB1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3008-ABSB1
Price: 1737.71 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

937-MAPC-A3008-ABSB1

Herst.- Nr.:

MAPC-A3008-ABSB1

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

RF-Entwicklungstools Application & Test Fixture,MAPC-A3008-AB

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MAPC-A3008-ABSB1 Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	RF-Entwicklungstools
RoHS:
Produkt:	Add-On Boards
Typ:	RF Amplifier
Tool für die Evaluierung von:	MAPC-A3008-AB
Frequenz:	0 Hz to 6 GHz
Marke:	MACOM
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	US
Produkt-Typ:	RF Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools

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MAPC-A3008-ABSB1 Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.