Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

ISC034N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC034N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC034N08NM7ATMA
Price: 2.06 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC034N08NM7ATMA

Herst.- Nr.:

ISC034N08NM7ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

ISC034N08NM7ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies ISC034N08NM7ATMA1

Auf Lager: 153

Lagerbestand:: 153 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 4 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 2.06	CHF 2.06
	CHF 1.32	CHF 13.20
	CHF 0.90	CHF 90.00
	CHF 0.75	CHF 375.00
	CHF 0.694	CHF 694.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.649	CHF 3'245.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	122 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.2 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	115 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	3.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.5 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.6 ns
Artikel # Aliases:	ISC034N08NM7 SP006167256

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

ISC034N08NM7ATMA1 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs sind leistungsstarke N-Kanal Transistoren, die für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsapplikationen entwickelt wurden. Diese MOSFETs bieten einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand, überlegenen thermischen Widerstand und ein ausgezeichnetes Miller-Verhältnis für dv/dt-Robustheit. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 sind für Hard-Switching- und Soft-Switching-Topologien sowie für FOM_oss optimiert. Diese MOSFETs sind zu 100 % durch Avalanche-Tests geprüft und sind RoHs-konform. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 sind gemäß IEC61249‑2‑21 halogenfrei.