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IS66WVR8M8FBLL-104NLI

Name: ISSI IS66WVR8M8FBLL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVR8M8FBLL104NLI
Price: 4.26 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-WVR8M8FBLL104NLI

Herst.- Nr.:

IS66WVR8M8FBLL-104NLI

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IS66WVR8M8FBLL-104NLI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße:	64 Mbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	104 MHz
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Organisation:	8 M x 8
Zugangszeit:	7 ns
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	15 mA

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Datenblatt

IS66WVR8M8FBLL-104NLI Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.