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IS42S32200N-6TL

Name: ISSI IS42S32200N-6TL
Brand: ISSI
SKU: 870-IS42S32200N-6TL
Price: 3.88 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-IS42S32200N-6TL

Herst.- Nr.:

IS42S32200N-6TL

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IS42S32200N-6TL Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM
Speichergröße:	64 Mbit
Datenbus-Weite:	32 bit
Maximale Taktfrequenz:	166 MHz
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-II-86
Organisation:	2 M x 32
Zugangszeit:	5.4 ns
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	108
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	70 mA

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Datenblatt

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

3,3V Single Data Rate (SDR) synchroner DRAM

ISSIs 3,3V Single Data Rate (SDR) synchroner DRAM bietet eine breite Auswahl an SDR SDRAM mit Speicherdichten von 16Mbit bis zu 512Mbit in Speicheranordnungen von 1Mx16, 4Mx16 und 8Mx16. Jede dieser Komponenten verfügt über eine einzelne Versorgungsspannung (3,3V +/-0,3V), Standard-SDRAM-Taktung, LVTTL-kompatible Eingänge, programmierbare Burst-Länge von 1, 2, 4, 8 oder Full-Page, Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi sowie eine programmierbare CAS-Latenz von 2 oder 3. Typische Anwendungsbereiche für diese Komponenten sind unter anderem drahtlose Zugangspunkte, Basisstationen, Router, Netzwerkspeicher, Energiemanagement-Anwendungen, industrielle Steuerungen, Infotainment in Fahrzeugen und Fahrzeug-Telematik.
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