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GCMX080A120B2H2P

Name: SemiQ GCMX080A120B2H2P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080A120B2H2P
Price: 33.1 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX080A120B2H2P

Herst.- Nr.:

GCMX080A120B2H2P

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

GCMX080A120B2H2P Datenblatt (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	B2
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	27 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	119 W
Serie:	GCMX
Verpackung:	Bulk
Marke:	SemiQ
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	12 ns
Höhe:	15 mm
Länge:	62.8 mm
Produkt:	Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Full Bridge Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Vf - Durchlassspannung:	4.2 V
Breite:	33.8 mm

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Datenblatt

GCMX080A120B2H2P Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1.200 V SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule

SemiQ GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule bieten geringe Schaltverluste, einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und eine sehr robuste und einfache Montage. Diese Module montieren den Kühlkörper direkt (isoliertes Gehäuse) und enthalten eine Kelvin-Referenz für einen stabilen Betrieb. Alle Teile wurden strengen Tests unterzogen, um Spannungen über 1.350 V zu widerstehen. Das charakteristische Merkmal dieser Module ist die robuste 1.200-V-Drain-Source-Spannung. Die GCMX Vollbrückenmodule werden bei einer Sperrschichttemperatur von 175°C betrieben und sind RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Photovoltaik-Wechselrichter, Akkuladegeräte, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.