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FDMS86255

Name: onsemi FDMS86255
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86255
Price: 4.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMS86255

Herst.- Nr.:

FDMS86255

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

Datenblatt:

FDMS86255 Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 4.25	CHF 4.25
	CHF 2.81	CHF 28.10
	CHF 2.01	CHF 201.00
	CHF 1.92	CHF 960.00
	CHF 1.87	CHF 1'870.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.87	CHF 5'610.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-56-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	45 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	63 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	113 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	FDMS86255
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	45 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	34 ns
Gewicht pro Stück:	56.500 mg

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Datenblatt

FDMS86255 Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor werden unter Verwendung von Fairchild Semiconductors fortschrittlichem PowerTrench®-Prozess produziert, der maßgeschneidert wurde, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch die erstklassige Schaltleistung aufrecht zu erhalten. Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor sind in einer Auswahl von Drain-Source-Spannungs-Spezifikationen zwischen 30V und 250V verfügbar.

Der FDD10N20LZ und der FDD7N25LZ sind Leistungsfeldeffekt-Transistoren vom n-Kanal-Anreicherungstyp, die unter Verwendung von Fairchilds geschützter Planar-Streifen-DMOS-Technologie produziert werden. Diese fortschrittliche Technologie wurde maßgeschneidert, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und eine erstklassige Schaltleistung sowie eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Stromstöße im Avalanche- und Kommutierungsmodus zu bieten. Diese Geräte eignen sich sehr gut für hocheffiziente Schaltnetzteile und aktive Leistungsfaktorkorrektur.

Der FDMC6296 ist ein einzelner n-Kanal-MOSFET in einem thermisch effizienten MicroFET-Gehäuse, das speziell entworfen wurde, um gut in Point-of-Load-Wandlern zu arbeiten. Dieser Baustein liefert ein optimiertes Gleichgewicht zwischen R_DS(on) und der Gate-Ladung und kann so effektiv als „Hochseiten“-Steuerschalter oder „Niedrig-Seiten“-Synchron-Gleichrichter verwendet werden.
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