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DXTN78030DFGQ-7

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DXTN78030DFGQ-7

Herst.- Nr.:

DXTN78030DFGQ-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

DXTN78030DFGQ-7 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerVDFN-8
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	30 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	80 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	8 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	140 mV
Pd - Verlustleistung:	2.4 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	260 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Serie:	DXTN
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom:	9 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC Stromverstärkung hFE max.:	550 at 100 mA
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

DXTN78030DFGQ-7 Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8541290065
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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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