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DMN53D0LQ-13

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LQ-13
Price: 0.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN53D0LQ-13

Herst.- Nr.:

DMN53D0LQ-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs 2N7002 Family

Datenblatt:

DMN53D0LQ-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.252	CHF 0.25
	CHF 0.158	CHF 1.58
	CHF 0.10	CHF 10.00
	CHF 0.077	CHF 38.50
	CHF 0.065	CHF 65.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	CHF 0.065	CHF 650.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

DMN53D0LQ-7

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.24

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	500 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	600 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	540 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	11 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.5 ns
Serie:	DMN53
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.7 ns
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Datenblatt

DMN53D0LQ-13 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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