Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

DMG4800LSD-13

Name: Diodes Incorporated DMG4800LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG4800LSD-13
Price: 0.68 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMG4800LSD-13

Herst.- Nr.:

DMG4800LSD-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM

Datenblatt:

DMG4800LSD-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Diodes Incorporated DMG4800LSD-13

Auf Lager: 875

Lagerbestand:: 875 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 40 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.68	CHF 0.68
	CHF 0.424	CHF 4.24
	CHF 0.275	CHF 27.50
	CHF 0.21	CHF 105.00
	CHF 0.189	CHF 189.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.161	CHF 402.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	8.56 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.17 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	8.55 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.5 ns
Serie:	DMG4800
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26.33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.03 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

DMG4800LSD-13 Datenblatt (PDF)

PCN

PRODUCT CHANGE NOTICE (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMG44x & DMG48x Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. DMG44x and DMG48x Enhancement Mode MOSFETs are high-reliability N-channel enhancement mode MOSFETs. These DMG44x and DMG48x enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.