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DIW065SIC015

Name: Diotec Semiconductor DIW065SIC015
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIW065SIC015
Price: 26.74 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DIW065SIC015

Herst.- Nr.:

DIW065SIC015

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

DIW065SIC015 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	150 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	236 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	550 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DIW065SIC015
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	42 S
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	136 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	63 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns

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Datenblatt

DIW065SIC015 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.