CDF56G7032N TR13 PBFREE

Central Semiconductor
610-CD56G7032NTR13PB
CDF56G7032N TR13 PBFREE

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 2'468

Lagerbestand:
2'468 sofort lieferbar
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 5.50 CHF 5.50
CHF 3.71 CHF 37.10
CHF 2.74 CHF 274.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 2.33 CHF 5'825.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Central Semiconductor
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
700 V
18 A
140 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
3.5 nC
- 55 C
+ 155 C
113 W
Depletion
Marke: Central Semiconductor
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 6 ns
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Field Effect Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Typ: Power FET
Regelabschaltverzögerungszeit: 4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 3 ns
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.