Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

C3M0032120K

Name: Wolfspeed C3M0032120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120K
Price: 10.74 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-C3M0032120K

Herst.- Nr.:

C3M0032120K

Herst.:

Wolfspeed

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Datenblatt:

C3M0032120K Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Wolfspeed C3M0032120K

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 19 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 10.74	CHF 10.74
	CHF 6.35	CHF 63.50
	CHF 6.16	CHF 739.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Wolfspeed
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	63 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	32 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	118 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	283 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	27 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	18 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

C3M0032120K Datenblatt

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC-C3M-MOSFETs

Die SiC-C3M-MOSFETs von Cree ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und reduziere Bauteilgrößen von Induktoren, Kondensatoren, Filtern und Transformatoren. Die SiC-C3M-MOSFETs verfügen über eine höhere Systemeffizienz und einen reduzierten Kühlbedarf. Die MOSFETs erhöhen auch die Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz.
Mehr erfahren

1.200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden verfügen über die zusammengefügte PiN-Schottky-Technologie (MPS) und bieten eine größere Robustheit und Zuverlässigkeit als Standard-Schottky-Dioden. Diese 1.200-V-Dioden von Wolfspeed sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, die ohne Gefahr einer thermischen Instabilität parallelgeschaltet werden können. Die Dioden eignen sich hervorragend für Solarwechselrichter, Schaltnetzteile (SNT), Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und AC/DC-Wandler.

1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs und -Dioden bieten eine leistungsstarke Kombination von einem höheren Wirkungsgrad in anspruchsvollen Applikationen. Diese MOSFETs und Schottky-Dioden sind für den Einsatz in Hochleistungsapplikationen ausgelegt. Die 1.200-V-SiC-MOSFETs verfügen über einen stabilen R_ds(on) -Übertemperatur- und Avalanche-Robustheit. Diese MOSFETs sind robuste Body-Dioden, die keine externen Dioden erfordern und einfacher anzusteuern sind, da sie einen 15-V-Gate-Drive bieten. Die 1.200-V-SiC-MOSFETs bieten einen verbesserten Wirkungsgrad auf Systemebene mit geringeren Schalt-und Leitungsverlusten und einer verbesserten Leistungsdichte auf Systemebene.

C3M0032120K Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die C3M0032120K Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed wurden mit der C3M™-MOSFET-Technologie entwickelt. Die C3M0032120K verfügen über einen 1.200 V_DS, einen 63 A I_D und einen 32 R_DS(on). Die Leistungs-MOSFETs reduzieren die Schaltverluste und das Gate-Überschwingen. Die Bauteile verfügen über eine schnelle intrinsische Diode mit geringer Sperrverzögerung (Qrr). Die C3M0032120K MOSFETs bieten eine erhöhte Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz mit reduziertem Kühlbedarf. Zu den typischen Applikationen gehören Solarwechselrichter, EV-Motorantriebe, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Schaltnetzteile und Lastschalter.

1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs setzen den Standard für Leistung, Robustheit und einfaches Design. Die MOSFETs von Wolfspeed verfügen über ein schnelles Schalten und geringe Schaltverluste und gewährleisten eine deutliche Verbesserung des Systemwirkungsgrads, der Leistungsdichte und der Gesamtkosten der BOM im Vergleich zu Silizium-MOSFETs und etabliertem IGBT.