BV1HB020EFJ-CE2

ROHM Semiconductor
755-BV1HB020EFJ-CE2
BV1HB020EFJ-CE2

Herst.:

Beschreibung:
Leistungsschalter IC - Leistungsverteiler ICs, Power Management, Automotive Intelligent Power Device Single Channel 20 m High Side Switch

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CHF 1.54 CHF 1.54
CHF 1.13 CHF 11.30
CHF 1.03 CHF 25.75
CHF 0.916 CHF 91.60
CHF 0.867 CHF 216.75
CHF 0.835 CHF 417.50
CHF 0.804 CHF 804.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.729 CHF 1'822.50
CHF 0.726 CHF 3'630.00

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Leistungsschalter IC - Leistungsverteiler
High Side Switch
1 Output
44 mOhms
150 us
100 us
6 V to 28 V
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
HTSOP-J8
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Produkt: Switches
Produkt-Typ: Power Switch ICs - Power Distribution
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Switch ICs
Versorgungsspannung - Max.: 28 V
Versorgungsspannung - Min.: 6 V
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

BV1HBx High-Side-Fahrzeugschalter

 Die BV1HBx High-Side-Fahrzeugschalter von ROHM Semiconductor integrieren einen Überstrom-Lastschutz und einen Abschaltmechanismus mit zwei Temperaturen. Das begrenzt die internen thermischen Transienten und reduziert die mechanische Belastung der ICs. Die BV1HBx Schalter verfügen über eine niedrigeBetriebsspannung (Anlassen) von 4 V und eine intelligente aktive Klemm-Schaltung, um die magnetische Energie abzuleiten und induktive Lasten abzuschalten. Diese Schalter verfügen außerdem über integrierte Strommessung und Diagnosefunktionen. Diese liefern Echtzeitinformationen zum Laststrom und Rückmeldungen zu offenen Kreisen oder Kurzschlüssen sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand. Ein 3 V und 5 V CMOS-kompatibler Eingangsstift bietet eine direkte Verbindung zum Mikrocontroller ohne spezielle Schnittstellen oder Pegelsteller. Die BV1HBx High-Side-Schalter arbeiten im Temperaturbereich von -40°°C bis 150 °°C. Typische Applikationen sind Treiber für ohmsche, induktive und kapazitive Lasten, MOSFET-, Relais- und Sicherungsersatz sowie intelligente Leistungsbauteile.