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BSC076N04NDATMA1

Name: Infineon BSC076N04NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC076N04NDATMA1
Price: 1.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BSC076N04NDATMA1

Herst.- Nr.:

BSC076N04NDATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET 40V

Datenblatt:

BSC076N04NDATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.64	CHF 1.64
	CHF 0.98	CHF 9.80
	CHF 0.493	CHF 49.30
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.493	CHF 2'465.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	38 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	65 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	BSC076N04
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns
Artikel # Aliases:	BSC076N04ND SP002594330

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ Super Cool Zweikanal-Leistungs-MOSFETs

Super-Cool-Zweikanal-Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ von Infineon Technologies sind n-Kanal-Leistungstransistoren in einem SuperSO8-Gehäuse mit Dual-Kühlfunktion für eine verbesserte thermische Leistungsfähigkeit. Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon sind zur Erhöhung des Wirkungsgrads, der Leistungsdichte und der Kosteneffizienz ausgelegt. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand (R_{DS (on)}) und eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr), wodurch die Leistungsdichte erhöht und gleichzeitig die Robustheit und Systemzuverlässigkeit verbessert wird. Die +175 °C-Einstufung ermöglicht Designs mit höherer Leistung bei einer höheren Sperrschicht-Betriebstemperatur oder einer längeren Lebensdauer bei gleicher Sperrschicht-Betriebstemperatur.