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BC56-10PASX

Name: Nexperia BC56-10PASX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BC56-10PASX
Price: 0.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BC56-10PASX

Herst.- Nr.:

BC56-10PASX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT SOT1061 80V 1A NPN MEDPWR BJT

Datenblatt:

BC56-10PASX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.421	CHF 0.42
	CHF 0.254	CHF 2.54
	CHF 0.181	CHF 18.10
	CHF 0.141	CHF 70.50
	CHF 0.124	CHF 124.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.075	CHF 225.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-2020D-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	1 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	80 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	100 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	500 mV
Pd - Verlustleistung:	420 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	180 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	63 at 150 mA, 2 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	250 at 150 mA, 2 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934068132115
Gewicht pro Stück:	7.484 mg

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Datenblatt

BC56-10PASX Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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