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UG4SC075005L8S

Name: onsemi UG4SC075005L8S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075005L8S
Price: 42.27 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-UG4SC075005L8S

Herst.- Nr.:

UG4SC075005L8S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs UG4SC075005L8S

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

UG4SC075005L8S Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 42.27	CHF 42.27
	CHF 36.62	CHF 366.20
	CHF 35.37	CHF 3'537.00
	CHF 35.35	CHF 17'675.00
	CHF 35.33	CHF 35'330.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 31.63	CHF 63'260.00

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MO-229-8
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 30 V to 30 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	6 uA
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Pd - Verlustleistung:	1.153 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	UG4S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

UG4SC075005L8S Datenblatt

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FETs

Die onsemi Combo-FETs sind revolutionäre Bauteile, die einen SiC-JFET von onsemi mit niedrigem R_DS(on) und einen Si-MOSFET in einem einzigen, kompakten Gehäuse kombinieren. Diese Combo-FETs sind ausdrücklich für Niederfrequenz-Schutzapplikationen, wie z. B. Solid-State-Leistungsschalter, Batterietrennschalter und Überspannungsschutz ausgelegt und ermöglichen Benutzern den Zugriff auf das JFET-Gate zur Optimierung des Designs. Die Integration des Si-MOSFETs in diese Combo-FETs von onsemi gewährleistet eine normalerweise ausgeschaltete Lösung, die eine Größenreduzierung von über 25 % im Vergleich zu diskreten Implementierungen ermöglicht.

UG4SC Kombi-FETs von 750 V, 8,4 mΩ

onsemi UG4SC Combo-FETs von 750 V, 8,4 mΩ kombinieren einen 750-V-SiC-JFET und einen Si-MOSFET mit niedriger Spannung in einem einzelnen TO-247-4L-Gehäuse. Dieses Design ermöglicht einen normalerweise ausgeschalteten Schalter und profitiert vom extrem niedrigen On-Widerstand [R_DS(on)] und der Robustheit eines normalerweise auf SiC-JFETs und der Robustheit eines normalerweise auf SiC-JFETs. Die UG4SC Combo-FET-Baureihe von onsemi eignet sich hervorragend für die Hochenergie-Schaltung im Schaltungsschutz. Für die Schaltmodus-Leistungsumwandlung bieten die Bauteile einen separaten Gate-Zugang zum JFET und MOSFET, wodurch die Drehzahlregelung verbessert und die Parallelschaltung mehrerer Bauteile vereinfacht wird.