Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

NXH006P120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH006P120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H006P120M3F2PTHG
Price: 135.09 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-H006P120M3F2PTHG

Herst.- Nr.:

NXH006P120M3F2PTHG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NXH006P120M3F2PTHG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NXH006P120M3F2PTHG

Auf Lager: 11

Lagerbestand:: 11 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 23 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 135.09	CHF 135.09
	CHF 120.79	CHF 1'207.90

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	PIM-36
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	191 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	556 W
Serie:	NXH006P120M3F2PTHG
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Half Bridge
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	8.54 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	13.61 ns
Verpackung ab Werk:	20
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EliteSiC
Typ:	Half Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit:	109 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40.53 ns
Vf - Durchlassspannung:	5.31 V

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NXH006P120M3F2PTHG Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH006P120MNF2PTG Halbbrücken-SiC-Modul

Das onsemi NXH006P120MNF2PTG Halbbrücken-SiC-Modul verfügt über zwei 6 mΩ 1200-V-SiC-MOSFET-Schalter und einen Thermistor in einem F2-Gehäuse. Die SiC-MOSFET-Schalter verwenden die M1-Technologie und werden mit einem 18 V bis 20 V Gate-Drive angesteuert. Das NXH006P120MNF2 Modul bietet eine verbesserte Zuverlässigkeit durch Planar-Technologie und einen niedrigen thermischen Chip-Widerstand. Zu den typischen Applikationen gehören DC/AC-Umwandlung, DC/DC-Umwandlung, Energiespeichersysteme, USV, AC/DC-Umwandlung, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Solarwechselrichter.