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FDD86102

Name: onsemi FDD86102
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86102
Price: 2.29 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDD86102

Herst.- Nr.:

FDD86102

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

Datenblatt:

FDD86102 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.29	CHF 2.29
	CHF 1.46	CHF 14.60
	CHF 1.02	CHF 102.00
	CHF 0.851	CHF 425.50
	CHF 0.76	CHF 760.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.719	CHF 1'797.50
	CHF 0.683	CHF 3'415.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	19 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.1 V
Qg - Gate-Ladung:	13.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Pd - Verlustleistung:	3.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	CN
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	21 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	FDD86102
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

FDD86102 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Fairchild PowerTrench MOSFETs

FDMS86105 n-Kanal-PowerTrench®-MOSFET

Der Fairchild Semiconductor FDD86102 N-Kanal Leistungs Trench® MOSFET wird hergestellt unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench Prozesses, der für On-Widerstand, Schaltleistung und Stabilität optimiert wurde. Der Fairchild Semiconductor FDD86102 MOSFET bietet hohe Schaltgeschwindigkeit und hohe Leistungs- und Stromverarbeitungskapazität in einem häufig benutzten Gehäuse zur Oberflächenmontage. Der Fairchild PowerTrench MOSFET ist konzipiert für DC-DC-Wandlungs Anwendungen.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi / Fairchild PowerTrench^® MOSFETs bieten ein umfangreiches Portfolio von MOSFETs in der Branche. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und p-Kanal-Versionen, die für eine niedrige R_DS(ON)-Schaltleistung und Unempfindlichkeit optimiert sind. Zu den typischen Applikationen gehören Lastschalter, Primärschalter, mobile Rechner, DC/DC-Wandler und Synchrongleichrichter.