UCC28782ADRTWR

Texas Instruments
595-UCC28782ADRTWR
UCC28782ADRTWR

Herst.:

Beschreibung:
Schaltregler High-density flyback controller for acti

ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.94 CHF 1.94
CHF 1.72 CHF 17.20
CHF 1.65 CHF 41.25
CHF 1.47 CHF 147.00
CHF 1.38 CHF 345.00
CHF 1.21 CHF 605.00
CHF 1.01 CHF 1'010.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.932 CHF 2'796.00
CHF 0.916 CHF 5'496.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Schaltregler
RoHS:  
Flyback
1 Output
1.5 MHz
99 %
19.95 V
3.25 A
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
WQFN-24
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Entwicklungs-Kit: UCC28782EVM-030
Abfallzeit: 20 ns
Isolierung: Isolated
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 235 uA
Betriebsversorgungsspannung: 14 V to 34 V
Ausgangsleistung: 70 W
Produkt: High Density Active Clamp Flyback Controllers
Produkt-Typ: Switching Controllers
Anstiegszeit: 0.79 us
Serie: UCC28782
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

UCC28782 ACF-Regler (Active-Clamp Flyback)

Der Texas Instruments UCC28782 ACF-Regler (Active-Clamp Flyback) mit hoher Dichte wurde für USB Type C™ PD-Applikationen entwickelt. Das Bauteil ermöglicht Wirkungsgrade über 93 % durch Rückgewinnung der Streuinduktionsenergie und adaptives ZVS-Tracking über den gesamten Lastbereich. Mit einer maximalen Frequenz von 1,5 MHz kann die Magnetik minimiert werden. Frequenzdithering hilft, die EMI-Marge zu verbessern. Der UCC28782 integriert auch ein dynamisches Vorspannungs-Leistungsmanagement zur Optimierung der Gate-Ansteuerung für Si- oder GaN-MOSFETs.