UCC27311AQDRCRQ1

Texas Instruments
595-UCC27311AQDRCRQ1
UCC27311AQDRCRQ1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber Automotive 120V 4A h alf-bridge gate dri

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CHF -.--
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 2.01 CHF 2.01
CHF 1.50 CHF 15.00
CHF 1.37 CHF 34.25
CHF 1.23 CHF 123.00
CHF 1.16 CHF 290.00
CHF 1.12 CHF 560.00
CHF 1.08 CHF 1’080.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 1.04 CHF 3’120.00
CHF 1.02 CHF 6’120.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

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Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
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RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VSON-10
2 Driver
2 Output
3.7 A, 4.5 A
8 V
17 V
Non-Inverting
7.2 ns
5.5 ns
- 40 C
+ 150 C
UCC27311A
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Logiktyp: CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 17 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 17 ns
Betriebsversorgungsstrom: 3 mA
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 42 ns
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

UCC27311A/UCC27311A-Q1 Halbbrückentreiber

Texas Instruments UCC27311A/UCC27311A-Q1 Halbbrückentreiber sind robuste Gate-Treiber, die zwei n-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrücken- oder synchronen Abwärtskonfiguration mit einer absoluten maximalen Bootstrap-Spannung von 120 V ansteuern können. Aufgrund der Quellen-Spitzenstrombelastbarkeit von 3,7 A und Senken-Spitzenstrombelastbarkeit von 4,5 A können UCC27311A/UCC27311A-Q1 große Leistungs-MOSFETs mit minimalen Schaltverlusten während des Übergangs durch das Miller-Plateau ansteuern. Der Schaltknoten (HS-Pin) kann negative Transientenspannungen verarbeiten, wodurch der High-Side-Kanal vor inhärenten negativen Spannungen, die durch Streukapazitäten und parasitäre Induktivität verursacht werden, geschützt werden kann.