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UCC27210DDA

Name: Texas Instruments UCC27210DDA
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27210DDA
Price: 4.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC27210DDA

Herst.- Nr.:

UCC27210DDA

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 4A Peak Hi Freq High /Low-Side Driver A A 595-UCC27210DDAR

Datenblatt:

UCC27210DDA Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 2.74	CHF 68.50
	CHF 2.40	CHF 180.00
	CHF 2.15	CHF 645.00
	CHF 1.97	CHF 1'034.25
	CHF 1.71	CHF 1'795.50
	CHF 1.67	CHF 5'010.00
	CHF 1.66	CHF 9'960.00

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

UCC27210DDAR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 2.34

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

UCC27210DDAR

Beschreibung:

Gate-Treiber 4A Peak Hi Freq High /Low-Side Driver A A 595-UCC27210DDA

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-PowerPad-8
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	4 A
Versorgungsspannung - Min.:	8 V
Versorgungsspannung - Max.:	17 V
Anstiegszeit:	7.2 ns
Abfallzeit:	5.5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 140 C
Serie:	UCC27210
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	75
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	70.600 mg

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CAHTS:: 8542390000
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MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.