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UCC21710DW

Name: Texas Instruments UCC21710DW
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC21710DW
Price: 6.53 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC21710DW

Herst.- Nr.:

UCC21710DW

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5.7kVrms +/-10A sin gle-channel-isolated A 595-UCC21710DWR

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

UCC21710DW Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	UCC21710
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verzögerungszeit - Max.:	130 ns
Anstiegszeit:	33 ns
Abfallzeit:	27 ns
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	10 A
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Technologie:	SiC

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Datenblatt

UCC21710DW Datenblatt

Application Notes

EOL

Product Discontinuance Notification 2024-03-01 (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC21710 Isolierter Gate-Treiber

Der Texas Instruments UCC21710 isolierte Gate-Treiber ist ein galvanisch getrennter Einkanal-Gate-Treiber, der für den Antrieb von SiC-MOSFETs und IGBTs von bis zu 1.700 V ausgelegt ist. Das Bauteil verfügt über erweiterte integrierte Schutzfunktionen, eine erstklassige dynamische Leistungsfähigkeit und Robustheit. Der UCC21710 hat bis zu ±10 A Spitzenstrom in Quelle und Senke. Die Eingangsseite ist von der Ausgangsseite mit der kapazitiven Isolationstechnologie SiO₂ isoliert, wobei eine Arbeitsspannung von bis zu 1,5 kV_RMS mit einer Lebensdauer der Isolationsbarriere von mehr als 40 Jahren, 12,8 kV_PK Überspannungsfestigkeit sowie eine geringe Teil-zu-Teil-Verzögerung und > 150 V/ns Gleichtaktstörfestigkeit (CMTI) unterstützt wird.