LMG3411R050RWHT

Texas Instruments
595-LMG3411R050RWHT
LMG3411R050RWHT

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR

ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 25.23 CHF 25.23
CHF 20.42 CHF 204.20
CHF 19.22 CHF 480.50
CHF 17.90 CHF 1'790.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
CHF 17.27 CHF 4'317.50
CHF 16.89 CHF 8'445.00
1'000 Kostenvoranschlag
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-32
1 Driver
1 Output
12 A
9.5 V
18 V
Non-Inverting
2.9 ns
26 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3411R050
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 8.9 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 5.2 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 23 mA
Ausgangsspannung: 5 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 57 mOhms
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Handelsname: GaN
Gewicht pro Stück: 188.300 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

LMG341xR050 GaN-Leistungsstufe

Die Texas Instruments LMG341xR050 GaN-Leistungsstufe mit integriertem Treiber und Schutzfunktionen bietet Designern neue Wege zur Erreichung der Leistungsdichte und des Wirkungsgrads in Leistungselektronik-Systemen. Die inhärenten Vorteile des LMG341x gegenüber Silizium-MOSFETs umfassen eine extrem niedrige Eingangs- und Ausgangskapazität, eine Sperrverzögerung von Null zur Reduzierung von Schaltverlusten um bis zu 80 % und ein niedriges Schalterknoten-Überschwingen zur Reduzierung von EMI. Diese Vorteile ermöglichen dichte und effiziente Topologien, wie z. B. Totem-Pole-PFCs.